产能扩张与政府支持：强势冲击市场格局
自 2016 年成立以来，长鑫存储在中国的大力支持下，开启了迅猛的发展之路。市场研究机构 SemiAnalysis 数据显示，其 DRAM 产能从 2022 年每月 7 万片晶圆，一路飙升至 2023 年的 12 万片，预计 2024 年更是达到 20 万片 ，扩张速度令人惊叹。据深圳顾问公司前瞻产业研究院数据，长鑫存储在全球约 900 亿美元的 DRAM 市场中，市占率从 2020 年不到 1% ，短短几年间跃升至 2024 年的 5% ，成长势头强劲。
技术追赶：紧逼韩系厂商，迈向高端领域
在技术层面，长鑫存储持续发力，不断缩小与韩系厂商的差距。原计划以 17 纳米制程量产首款商用 DDR5 产品，最终采用更先进的 16 纳米技术，提升了产品性能与竞争力。目前，长鑫存储正积极研发下一代 15 纳米制程，计划于 2025 年完成开发，2026 年下半年正式商业化。研究机构 TechInsights 拆解某中国记忆体品牌的 DDR5 模组，确认长鑫存储已成功进入商业市场，其 “G4” 制程相较前一代 18 纳米制程（G3），DRAM 单元尺寸缩小了 20%。
美国限制：挑战与机遇并存
然而，长鑫存储的发展并非一帆风顺。今年 1 月 15 日，美国商务部进一步收紧对中国记忆体制造设备的出口限制，几乎将长鑫存储所有制程纳入出口禁令范围。这对长鑫存储的技术发展与产能扩张构成重大挑战，后续参数校正、设备维护与修复等工作将受到影响，导致 DRAM 产能增长受限，LPDDR4X 与 LPDDR5X 的良率、供应增长，以及 DDR5 与 HBM2E、HBM3 的开发计划都可能受阻。
不过，从另一个角度看，随着 DeepSeek 在大陆各类应用上的大规模使用，对大容量 DRAM 芯片需求激增，这为长鑫存储带来了新的机遇。而且，中国 DRAM 厂商在成本上具有一定优势，2024 年第 1 季韩国 DRAM 每 Gb 生产成本约 0.23 美元，中国 DRAM 厂商则可将成本压低至 0.20 美元 。随着技术升级与量产规模的扩大，成本还有进一步降低的空间。
长鑫存储凭借产能扩张和技术追赶，已成为全球 DRAM 市场的重要力量。尽管面临美国限制等挑战，但在国内政策支持、市场需求增长以及自身技术进步的推动下，长鑫存储有望在全球 DRAM 市场中继续拓展份额，提升竞争力，未来其发展动向值得持续关注。
