尽管需求复苏仍不显著，但受惠于主要供应商供给减少，不论是DRAM或是NAND近月现货价跌幅皆大幅收敛。根据厂商最新报价显示，在DRAM现货报价方面，4Gb DDR4 DRAM周报价持平，月报价下跌1.01％，季报价下跌14.04％。8GbDDR4 DRAM周报价下跌0.7％，月报价下跌2.74％，季报价下跌13.94％。
NAND Flash现货价部分，256Gb和512Gb TLC Flash周报价皆呈现持平，月报价分别下跌 0.91％和下跌0.71％，季报价下跌1.01％、5.44％。
在合约价方面，受惠季节性需求，且供应商减产幅度扩大，预估第三季DRAM报价跌幅预估由15％左右，收敛至5％以内，NAND报价跌幅预估由12.5％左右，收敛至5％左右。
法人分析，由于记忆体产业交货时间约为2～3 个月，三星减产效益于第三季开始发酵，伴随需求端缓步改善，产业库存持续去化中，第四季记忆体供需结构，有机会转为平衡，其中，DRAM报价将有望止跌回升。
在DRAM产业需求方面，法人认为，虽一般伺服器需求较弱，但大型云端服务业者（CSP）聚焦 AI伺服器投资，加速高容量伺服器DRAM，如DDR5 128G和高频宽记忆体（HBM）采购，使三星、SK海力士的HBM接单量皆大增。
此外，电子业传统旺季来临，也有利于Mobile DRAM需求，加计 PC库存已回到正常水准，产业三大应用需求最坏状况已过，需求复苏应可期待。
