全球 NAND Flash 快闪记忆体进入 3D 时代，使容量较 2D 时代大幅提升，但成本没有增加多少。DRAM 记忆体还停在 2D 时代，需大容量 DRAM 就要付更多成本。美国 NEO 半导体宣布推出全球首款 3D DRAM 原型，为解决 DRAM 容量瓶颈。
NEO 是记忆体技术公司，之前就宣布推出 3D X-NAND 快闪记忆体，号称解决 TLC、QLC 等快闪记忆体性能及耐用性问题。这次 3D X-DRAM 技术又号称是全球首款 3D DRAM 技术，可将 DRAM 带入 3D 时代，要做 DRAM 产业游戏规则的改变者。
3D X-DRAM 技术逻辑与 3D NAND Flash 快闪记忆体类似，都是堆叠层数提高记忆体容量，类似 3D NAND Flash 晶片的 FBC 技术，增加一层光罩就形成垂直结构，有良率高、成本低、密度大幅提升等优点。
NEO 承诺 2025 年将推出第一代 3D X-DRAM 就有 230 层堆叠，核心容量 128Gb，相较 2D DRAM 记忆体核心容量还只是 16Gb，整整提升 8 倍容量。
NEO 还提出每 10 年将 3D X-DRAM 容量提升 8 倍的目标。2035 年时推出 1Tb 核心容量 3D X-DRAM，较现在 DRAM 核心容量达 64 倍提升。照 NEO 说法，未来记忆体不仅轻松从 TB 单位核心容量起步，要追上 3D NAND Flash 的发展也不是难事。
但 NEO 没有晶圆厂，故 3D X-DRAM 生产要与有晶圆厂的公司合作，NEO 计划寻找授权商如三星、SK 海力士、美光、威腾、铠侠等。
